4F架构全球首产 三星突破DRAM物理极限
据报道， 三星电子全球首次成功产出了基于4F²架构的DRAM工作晶圆，一举突破了传统平面DRAM长期面临的物理微缩极限。 据悉，今年2月，三星已在ISSCC 2026会议上首次公开展示了这颗融合4F²架构的16Gb DRAM原型。 三星3月运用10a工艺完成晶圆生产，并通过特性测
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